事業概要
Project
事業概要Project
低コスト・高効率な酸化ガリウム半導体基板の製造技術確立
東北大学と連携し、貴金属製のるつぼを使用しない、新たな結晶育成技術であるOCCC法*を中心に、
ワイドバンドギャップ半導体として有望視されている高品質のβ-Ga2O3バルク単結晶製造技術を確立します。
従来法と比較して、製造コストの大幅削減と高純度化に優れるこの技術は、パワー半導体の市場を新時代へ
と導くことが期待されます。高品質のβ-Ga2O3バルク単結晶基板の量産技術を研鑽し、品質・コストの面
において、十分社会実装に可能なステージまで到達させ、市場へ提供していく責務を果たし、パワー半導体
市場にウエハの製造および加工技術開発を行うメーカーとして参入してまいります。
FOXの事業領域
インゴット
単結晶製造
ラッピング・
ポリッシング
（鏡面化）
成膜ウエハ完成
（エピタキシャル
ウエハ）
ファウンドリー半導体メーカー
製品
ウェーハ・材料製造に特化
プレイヤーが限定的であり、技術によるブレイクスルーにより
ゲームチェンジが確実に狙える領域であること
日本がイニシアチブを
有しているウェーハ製造に特化
応用物理の領域であり、製法特許による囲い込みが可能
代替技術開発が難しく、長期で優位性を確保が可能
応用物理の領域であり、製法特許による囲い込みが可能
代替技術開発が難しく、長期で優位性を確保が可能
次世代の省エネパワー半導体β-Ga2O3の社会実装と普及の後押し
β-Ga2O3はワイドバンドギャップ半導体としての高い特性を持ち、高効率な電力変換を可能にするため、
次世代の省エネパワーデバイスとして期待されています。
当社は、研究開発を推し進め、β-Ga2O3を活用した新しいパワー半導体デバイスの社会実装とその普及を、
高品質で低コストな基板の量産により、ウエハ量産メーカーとして後押しし、パワー半導体開発企業と
連携し、電気自動車や再生可能エネルギーのインフラにおける需要や市場を拡大していきます。
持続可能な製造技術と環境負荷の低減
貴金属坩堝を使用せずに結晶を成⾧させるOCCC法は、次世代パワー半導体のβ-Ga₂O₃のウエハ製造工程に
おける根本的なLCA*の向上、材料の使用効率を高め、環境負荷を減少させる技術として注目されています。
当社は次世代パワー半導体β-Ga₂O₃の社会実装と普及を後押しすることにより、従来Si半導体の電力損耗比率を根本的に解決し、持続可能な重要技術として環境配慮型のパワー半導体事業を後押しすることで、2050年までに目標としているカーボンニュートラルを電力分野で貢献いたします。
OCCC法によるβ-Ga2O3結晶育成の様子
OCCC法により生成されたβ-Ga2O3単結晶
β-Ga2O3ウエハ（8x10mm）
*NICHe:New Industry Creation Hatchery Center （未来科学技術共同研究センター）
*OCCC法:Oxide Crystal growth from Cold Crucible
*LCA:Life Cycle Assessment
FOXの研究者たちは数多くの論文を発表してきました。
注目すべき革新的な論文および記事をお読みください。
