新技術により低コストで低欠陥・高純度の半導体結晶を製造
未来の電力効率化の実現に向けた大きな一歩

次世代の省エネパワー半導体β-Ga₂O₃の社会実装と普及の後押し

β-Ga₂O₃はワイドバンドギャップ半導体としての高い特性を持ち、高効率な電力変換を可能にするため、
次世代の省エネパワーデバイスとして期待されています。
当社は、研究開発を推し進め、β-Ga₂O₃を活用した新しいパワー半導体デバイスの社会実装とその普及を、
高品質で低コストな基板の量産により、ウエハ量産メーカーとして後押しし、パワー半導体開発企業と
連携し、電気自動車や再生可能エネルギーのインフラにおける需要や市場を拡大していきます。

持続可能な製造技術と環境負荷の低減

貴金属るつぼを使用せずに結晶を成長させるOCCC法は、次世代パワー半導体であるβ-Ga₂O₃のウエハ製造工程において、LCA（ライフサイクルアセスメント）の根本的な改善、材料利用効率の向上、および環境負荷の低減を実現する革新的技術として注目されています。
当社は、次世代パワー半導体β-Ga₂O₃の社会実装と普及を推進することで、従来のSi半導体に比べて電力損失を大幅に低減し、環境に配慮したパワー半導体事業を通じて、2050年のカーボンニュートラル実現に電力分野から貢献してまいります。